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王欣然教授学术报告会

【来源:磁学实验室 | 发布日期:2012-12-24 | 作者:magnetism 】     【选择字号:
应物理科学与技术学院兰伟副教授邀请,南京大学电子科学与工程学院、固体微结构国家实验室博士生导师、首批国家“青年千人计划”获得者王欣然教授将于12月21日至12月22日来我校来我校访问讲学,敬请关注!
 
报告题目:石墨烯纳米材料的物理与电子器件
时间:12月21日(星期五)上午10:00
地点:校本部格致楼5004室
 
摘要:近年来,以石墨烯(Graphene)、硫化钼(MoS2)为代表的二维材料,由于其优异的材料性质引起了国际上的广泛关注。本报告介绍石墨烯电子与光电器件的一些进展,并以石墨烯纳米带材料为例,讨论低维材料在纳米电子器件及新概念器件中的应用。
石墨烯具有极高的电子迁移率,但是禁带宽度为零,限制了石墨烯逻辑器件的发展。理论预测通过制造准一维的石墨烯纳米带,利用量子效应可以实现带隙的打开及调控。我们用化学超声、展开碳管以及物理刻蚀等多种方法合成了20nm以下石墨烯纳米带。化学超声膨胀石墨可以得到宽度在5nm以下的纳米带,这些材料表现出半导体性,禁带宽度可以达到400meV,可以实现p型与n型高开关比(105以上)场效应晶体管。而展开碳管得到的纳米带则具有极高的质量,部分纳米带具有原子级平滑的边缘,可以用来探索理论预测的新奇边缘量子效应。基于这类石墨烯纳米带,我们在液氦温度下实现了高质量的量子点和量子线。上述两种化学方法的局限性在于无法实现器件的大面积集成,因此,我们利用自上而下的物理刻蚀方法,制造石墨烯纳米带阵列,实现了开关比大于104的单根纳米带器件以及开关比大于50的纳米带阵列器件,展现了石墨烯在纳米电子器件中的应用前景。
报告人简介:王欣然,南京大学电子科学与工程学院、固体微结构国家实验室教授、博士生导师。2004年本科毕业于南京大学物理系,2010年获斯坦福大学物理学博士学位,师从美国国家艺术与科学院院士Hongjie Dai教授。2010年-2011年在美国伊利诺伊大学香槟分校John Rogers教授组做博士后研究。2011年入选首批国家“青年千人计划”。王欣然教授主要从事微纳电子器件、集成技术以及量子调控研究。在石墨烯、硫化钼等低维材料的制备、电子器件与集成,以及量子输运等方向系统深入地开展了多项原创性工作。在Science、Nature、Nature系列、Phys.Rev.Lett.、JACS等国际顶级学术期刊发表论文20余篇,论文他人引用次数超过4000次。
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