兰大首页物理学院 English

人才引进

您的位置: 首页 >> 学术看板 > 正 文

韩秀峰研究员学术报告会

【来源:磁学实验室 | 发布日期:2016-11-24 | 作者:magnetism 】     【选择字号:

应磁学与磁性材料教育部重点实验室暨物理科学与技术学院邀请,中国科学院物理研究所韩秀峰研究员将于20161125-20161128日来我校进行学术合作交流并做学术报告,欢迎参加!

报 告 人:韩秀峰教授

报告题目:自旋电子学材料、物理和器件研究进展

报告时间:20161126日(星期六)下午16:30

报告地点:齐云楼620

报告摘要

该报告将简要介绍基于Al-O非晶势垒、准单晶和单晶MgO(001)势垒以及尖晶石MgAl2O4(001)等势垒的磁性隧道结材料制备和隧穿磁电阻(TMR)效应以及基于量子阱态的共振隧穿磁电阻(QW-TMR)效应等物理研究,并进一步介绍磁性隧道结(MTJ)及其隧穿磁电阻效应(TMR)在自旋电子学核心器件方面的重要代表性研究进展与应用,如磁随机存取存储器(MRAM)、高灵敏度低噪声的TMR磁电阻磁敏传感器等等。

 

韩秀峰研究员简历

中科院物理所研究员、博士生导师、M02课题组组长。1984年毕业于兰州大学物理系、1993年在吉林大学获博士学位。19982002年分别在日本东北大学、美国新奥尔良大学和爱尔兰圣三一学院等处从事自旋电子学的研究。2000年获中科院百人计划资助;2003年获国家杰出青年基金资助;2007年获国家基金委创新研究群体基金资助;2007年入选新世纪百千万人才工程国家级人选;主持和完成过国家基金委的重点基金、重大国际合作基金和科技部的973项目及重大科学仪器装备项目等。现任国际学术期刊JMMM的副主编、SPIN等杂志的编委、PRL等国际70余种SCI学术期刊杂志邀请审稿人。主要从事自旋电子学材料、物理和器件原理研究,包括(1)基于磁性隧道结及隧穿磁电阻(TMR)的材料、物理和器件原理研究等;(2)磁纳米异质结构及其自旋霍尔效应、自旋Seebeck效应和反常Nernst效应、巨磁热电(GMS)效应等物理研究;(3)铁磁/多铁性/半导体/有机分子等复合磁性隧道结及自旋输运性质研究;(4)新型磁随机存取存储器(MRAM)、磁电阻磁敏传感器、磁逻辑/自旋逻辑、自旋纳米振荡器、自旋场效应管和自旋晶体管的器件原理研究;(5)磁性纳米线和纳米管及其各种复合结构制备研究。发表SCI学术论文290余篇;获得中国发明专利授权70余项和国际专利授权7项;有相关国际学术会议邀请报告60余次;主编《自旋电子学导论》一书、并参与撰写《Handbook of Spintronics》等其他4部专著。与合作者研制成功一种新型纳米环磁随机存取存储器(MRAM)原理型演示器件、一种自旋逻辑、四种磁电阻磁敏传感器原理型演示器件;其中有关新型纳米环磁随机存取存储器的基础性研究2013年度北京市科学技术一等奖。

|设为首页|收藏本站|联系我们|
学院地址:甘肃省兰州市天水南路222号, 磁学与磁性材料教育部重点实验室
邮编:730000 电话:+86-931-8914160 传真:+86-931-8914160