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学术报告——中国科学院半导体所赵建华研究员

2020-11-10  磁学实验室

应兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室邀请,中国科学院半导体所赵建华研究员于近日来访我校并做学术报告,欢迎广大师生届时参加!

主讲人:赵建华研究员

  目:高品质半导体自旋电子学材料研究

  间:20201114日(周六)09:05

  点:格致楼3016

联系人:柴国志

报告摘要:

半导体自旋电子学旨在利用半导体中的电子自旋自由度代替传统的电子电荷自由度进行数据加工处理、存储及传输,研发新一代超高速、低功耗、非易失性的多功能器件,为未来信息技术发展提供全新途径。本报告将主要介绍报告人团队最近在磁性半导体、铁磁/半导体异质结构这两类重要的半导体自旋电子学材料方面研究进展,以及强自旋-轨道耦合的III-V族窄禁带半导体低维纳米结构方面开展的工作。

个人简介:

赵建华,中科院半导体所研究员,博士生导师,中国科学院大学岗位教授。19851988年吉林大学学士、硕士,1999年中科院物理所博士,1999-2002年中科院半导体所、日本东北大学博士后,2003年至今半导体超晶格国家重点实验室研究员。长期从事自旋电子学及半导体低维量子体系研究。获黄昆固体物理与半导体物理奖、国家技术发明二等奖。科技部重大研究计划项目首席科学家、国际纯粹与应用物理学联合会(IUPAP)磁学专业委员会委员、国际磁学与磁性材料顾问委员会(MMM Adcom)委员中科院半导体所学术委员会副主任。

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