主讲人：成昭华 研究员（中国科学院物理研究所）

题目：铁电半导体中体Rashba效应的三维极限及其非互易输运

时间：2023年6月8日（周四）上午9：00

地点： 理工楼1226会议室

邀请人：薛德胜

报告摘要：

Rashba效应在非易失性存储元件、逻辑计算和半导体自旋电子学中有非常广泛的应用前景。以往的研究主要集中在半导体或金属异质结的界面或二维电子气体系的Rashba效应，但它们的Rashba系数相对较小。近年来人们发现一些铁电半导体具有巨大的三维Rashba效应，其Rashba系数比异质结或二维电子气的高两个数量级，但是到目前为止，其尺寸效应尚不清楚。此外对于非中心对称体系，其电荷输运性质表现出非互易性，基于非互易响应有助于实现整流器件。

本报告主要介绍铁电半导体GeTe薄膜体Rashba系数随厚度的降低的标度律，进一步基于二次谐波探测技术，研究非互易输运行为，发现单向磁电阻与电流和外磁场强度均成正比，非互易输运系数随着温度的增加而呈现非单调变化，提出了Rashba体系中非线性的自旋流和电荷流的转换模型，确定α-GeTe的非互易电荷输运主要源于其体Rashba能带贡献。

个人简介：

成昭华，中科院物理所研究员，博士生导师，国家杰出青年基金获得者，中科院百人计划入选者。1990年和1993年先后获得兰州大学学士和硕士学位，1996年获得中国科学院物理研究所凝聚态物理博士学位。1996-2000 年，分别在德国马普金属研究所和加拿大Dalhousie大学物理系从事博士后研究。主要从事磁性纳米结构与飞秒磁性研究。在Adv. Mater., Phys. Rev. Lett. Nano. Lett., PNAS, Sci. Report, Phys. Rev.B, Appl. Phys. Lett.等国际主要学术刊物上发表论文300余篇，被他人引用5000余次。