应兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室邀请，北京师范大学袁喆教授于近日来访我校并做学术报告，欢迎广大师生届时参加！

主讲人：袁喆教授

题  目：各向异性磁电阻的内禀机制

时  间：2020年11月14日（周六）11:05

地  点：格致楼3016

联系人：柴国志

报告摘要：

各向异性磁电阻(anisotropic magnetoresistance, AMR)是磁性材料中的基本输运现象。虽然人们很早就发现了磁性材料的AMR，并认识到自旋轨道耦合在其中起到关键作用，但对于AMR的微观机制的理解长期陷于停滞。我们结合第一性原理计算和输运实验，研究了CoxFe1？x单晶合金中由能带结构决定的AMR的内禀物理机制。通过输运计算，我们重复出该单晶体系的磁电阻强烈取决于电流的方向和合金浓度的实验测量结果，随后通过分析CoFe合金的电子结构，发现AMR的变化与费米能附近随磁化方向变化的能带交叉有关，并可以通过改变合金组分调控能带交叉点接近或远离费米能级，进而有效地调控AMR。实验制备了电流方向连续可调的单晶样品并调控样品在磁场中的三维旋转，测量结果与理论计算高度吻合。同时，实验还发现沿着不同晶轴的纵向和横向电阻率满足倒易关系，并可以使用基于对称性展开的唯象理论给出明确解释。

个人简介：

袁喆，北京师范大学物理学系教授。在清华大学物理系就读本科和研究生；获瑞典Chalmers理工大学博士学位；随后在中科院物理研究所，荷兰Twente大学，德国Mainz大学等机构工作。主要从事自旋类脑计算、自旋输运的理论与数值计算方面研究。