报 告 人：王晓蕾 (北京工业大学)

题目：非易失性存储薄膜的极化调控研究

报告时间：2023年4月7日（星期五）上午9:00

地      点：理工楼1318报告厅

摘要：

非易失性存储器断电时数据不丢失，并具有读写速度快、运行功耗低等优势。由于面临存储墙、动态稳定性、功能集成等问题，如何开发性能优异、功能拓展、可靠性高的非易失性材料，是必须要解决的关键科学技术问题。本工作利用铁电材料的电极化矢量和磁性材料的自旋极化特性作为存储介质，深入开展了非易失性存储薄膜的生长制备、极化调控与器件性能等研究。主要包括：开发单相铁性忆阻材料的应力感知、频率调控和时空分辨等新功能，获得多场调控的不同极化态与多重电阻态；发展界面钝化新方法，利用有机分子在磁性半导体中实现载流子浓度、居里温度和磁矩取向的大幅调控；设计反铁磁材料的原子占位，实现晶体结构、拓扑性质和自旋取向的精准调控。本工作通过优化材料性能、提高器件效率和拓展存算感功能，实现了存储器变量在多稳态之间的切换，获得了高速度、低功耗、高效率的非易失性存储器。

个人简介：

王晓蕾，北京工业大学教授，博导。于2006年在西北工业大学物理系取得学士学位，2010年在中国人民大学物理系获得硕士学位，2013年博士毕业于香港城市大学（与剑桥大学联合培养）。回国后在中科院半导体所超晶格国家重点实验室工作6年，2019年以高层次人才入职北京工业大学。十几年来聚焦信息存储材料及其调控研究，发表论文61篇，引用1046次，单篇引用超百次论文3篇。其中第一/通讯/共同通讯作者论文26篇，包括Nature Communications（2篇，1篇为ESI高被引），以及Advanced Materials、Nano Letters等。主持国家自然科学基金面上项目（2项）以及中科院人才专项（中国科学院青年创新促进会）等。在国际和国内重要学术会议做特邀报告7次，国际会议口头报告5次。担任北京光学学会青年工作委员会副主任，国际杂志Symmetry、Frontiers in Materials、Engineering Reports客座编辑和中国《稀有金属》青年编委等学术职务。