主讲人：江万军 副教授（清华大学）

题目：拓扑自旋电子学

时间：2023年5月24日（周三）上午11：00

地点： 理工楼1318会议室

邀请人：薛德胜

报告摘要：

磁斯格明子是一种具有拓扑构型的非共线自旋结构。它可以被电流等方式高效驱动，因而可以用来开发高性能自旋器件，相关研究已成为凝聚态物理、功能材料、信息技术等领域的研究热点。磁斯格明子自旋拓扑态也衍生出了新奇的物理现象，譬如拓扑霍尔效应、斯格明子霍尔效应等。本次报告中，我将详细汇报磁斯格明子相关的自旋拓扑物理、原型器件等方面的研究进展，同时将展望领域内相关的挑战问题。

个人简介：

江万军，清华大学物理系副教授，2005年本科毕业于兰州大学物理学院，2010年博士毕业于加拿大曼尼托巴大学物理与天文系。2010年9月至2016年6月，先后在美国加州大学洛杉矶分校、阿贡国家实验室开展博士后研究工作。2016年9月入职清华大学物理系，于2022年获得国家杰出青年基金资助。江万军课题组长期从事自旋电子学方面的研究，研究领域：自旋相关成像技术，表面与界面磁学，拓扑磁性的新材料和原理型器件。