MBE主要用于研究高频超高频材料与微观磁性，发光与信息显示材料，高密度信息存储技术用磁性材料，磁电子学材料与器件，电子与光电子波膜材料。其中，对高频超高频薄膜材料和高饱和磁感应强度软磁薄膜的研究，高自旋极化率材料和磁性传感器的研制，MBE均能实现，而且制备出的薄膜材料膜层厚度，组分和杂质浓度均可进行精确控制。

MBE制备室的真空度可达1×10^-10mbar，低温束源炉可达1400℃，高温束源炉可达2000℃。